1. 物料型号:
- 2SD669-x-AA3-R
- 2SD669L-x-AA3-R
- 2SD669-x-AB3-R
- 2SD669L-x-AB3-R
- 2SD669-x-T60-K
- 2SD669L-x-T60-K
- 2SD669-x-T6C-R
- 2SD669L-x-T6C-R
- 2SD669-x-T92-B
- 2SD669L-x-T92-B
- 2SD669-x-T92-K
- 2SD669L-x-T92-K
- 2SD669-x-T9N-B
- 2SD669L-x-T9N-B
- 2SD669-x-T9N-K
- 2SD669L-x-T9N-K
- 2SD669-x-T9N-R
- 2SD669L-x-T9N-R
- 2SD669-x-TM3-T
- 2SD669L-x-TM3-T
- 2SD669-x-TN3-R
- 2SD669L-x-TN3-R
- 2SD669-x-TN3-T
- 2SD669L-x-TN3-T
2. 器件简介:
- 2SD669/A是一款NPN硅晶体管,适用于低频电源放大器,可与UTC 2SB649/A组成互补对。
3. 引脚分配:
- SOT-223: B, C, E
- SOT-89: B, C, E
- TO-126: E, C, B
- TO-126C: E, C, B
- TO-92: E, C, B
- TO-92NL: E, C, B
- TO-251: E, C, B
- TO-252: B, C, E
4. 参数特性:
- 集电极-基极电压(VCBO, VCEO):180V
- 集电极-发射极电压(2SD669: 120V, 2SD669A: 160V)
- 发射极-基极电压(VEBO):5V
- 集电极电流(Ic):1.5A
- 集电极峰值电流(IC(PEAK)):3A
- 集电极功率耗散(SOT-223: 0.5W, TO-126: 1W)
- 结温(TJ):+150°C
- 存储温度(TSTG):-40~+150°C
5. 功能详解:
- 该晶体管具有不同的hFE等级,包括60-120, 100-200, 160-320,适用于不同的放大需求。
6. 应用信息:
- 适用于低频电源放大器,可与UTC 2SB649/A组成互补对使用。
7. 封装信息:
- 提供多种封装选项,包括SOT-223, SOT-89, TO-126, TO-126C, TO-92, TO-92NL, TO-251, TO-252等。