2SD882S-E-AB3-R

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UTC(友顺)
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2SD882S-E-AB3-R - MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR - Unisonic Technologies

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD882S MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR FEATURES * High current output up to 3A * Low saturation voltage * Complement to 2SB772S NPN SILICON TRANSISTOR 1 SOT-89 1 SOT-223 APPLICATIONS * Audio power amplifier * DC-DC convertor * Voltage regulator 1 TO-92 *Pb-free plating product number: 2SD882SSL ORDERING INFORMATION Order Number Normal Lead Free Plating 2SD882S-x-AA3-R 2SD882SL-x-AA3-R 2SD882S-x-AB3-R 2SD882SL-x-AB3-R 2SD882S-x-T92-B 2SD882SL-x-T92-B 2SD882S-x-T92-K 2SD882SL-x-T92-K Package SOT-223 SOT-89 TO-92 TO-92 Pin Assignment 1 2 3 B C E B C E E C B E C B Packing Tape Reel Tape Reel Tape Box Bulk 2SD882SL-x-AA3-R (1)Packing Type (2)Package Type (3)Rank (4)Lead Plating (1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel (2) AA3: SOT-223, AB3: SOT-89, T92: TO-92 (3) x: refer to Classification of hFE2 (4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn www.unisonic.com.tw Copyright © 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd 1 of 4 QW-R208-007,C 2SD882S PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Base Current Power Dissipation SOT-89 SOT-223 TO-92 DC Pulse SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP IB PD NPN SILICON TRANSISTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25℃, unless otherwise specified ) RATINGS 40 30 5 3 7 0.6 UNIT V V V A A A 0.5 W 1 W 0.5 W Junction Temperature TJ +150 ℃ Storage Temperature TSTG -55 ~ +150 ℃ Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃, unless otherwise specified) PARAMETER Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current DC Current Gain (Note 1) Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Current Gain Bandwidth Product Output Capacitance SYMBOL BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE1 hFE2 VCE(SAT) VBE(SAT) fT Cob TEST CONDITIONS IC=100µA, IE=0 IC=1mA, IB=0 IE=100µA, IC=0 VCB=30V, IE=0 VEB=3V, IC=0 VCE=2V, IC=20mA VCE=2V, IC=1A IC=2A, IB=0.2A IC=2A, IB=0.2A VCE=5V, IC=0.1A VCB=10V, IE=0, f=1MHz MIN 40 30 5 TYP MAX UNIT V V V nA nA 1000 1000 30 100 200 150 0.3 1.0 80 45 400 0.5 2.0 V V MHz pF Note 1: Pulse test: PW

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1. 物料型号： - 2SD882S：标准型号，有铅焊接。 - 2SD882SL：无铅焊接型号。 - 2SD882S-x-AA3-R：SOT-223封装，有铅焊接。 - 2SD882SL-x-AA3-R：SOT-223封装，无铅焊接。 - 2SD882S-x-AB3-R：SOT-89封装，有铅焊接。 - 2SD882SL-x-AB3-R：SOT-89封装，无铅焊接。 - 2SD882S-x-T92-B：TO-92封装，有铅焊接。 - 2SD882SL-x-T92-B：TO-92封装，无铅焊接。 - 2SD882S-x-T92-K：TO-92封装，有铅焊接，散装。 - 2SD882SL-x-T92-K：TO-92封装，无铅焊接，散装。

2. 器件简介： - 2SD882S是一款NPN硅晶体管，属于中功率低电压晶体管。具有高达3A的高电流输出和低饱和电压，与2SB772S互补，适用于音频功率放大器、DC-DC转换器、电压调节器等。

3. 引脚分配： - SOT-223封装：B（基极）、C（集电极）、E（发射极）。 - SOT-89封装：B（基极）、C（集电极）、E（发射极）。 - TO-92封装：E（发射极）、C（集电极）、B（基极）。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值：集-基电压40V，集-射电压30V，发射-基电压5V，集电极电流3A（直流），脉冲7A，基极电流0.6A。 - 功耗：SOT-89封装0.5W，SOT-223封装1W，TO-92封装0.5W。 - 结温+150℃，存储温度-55℃至+150℃。

5. 功能详解： - 电气特性：包括集-基击穿电压、集-射击穿电压、发射-基击穿电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、电流增益带宽积、输出电容等。

6. 应用信息： - 适用于音频功率放大器、DC-DC转换器和电压调节器。

7. 封装信息： - 提供SOT-223、SOT-89和TO-92三种封装类型，每种封装都有有铅和无铅焊接版本。

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