1. 物料型号：
- 2SD882S
- 2SD882SL（无铅镀层版本）
2. 器件简介：
- 2SD882S是一款NPN硅晶体管，具有中等功率和低电压特性。
- 特点包括高达3A的高电流输出和低饱和电压。
- 与2SB772S互补。
3. 引脚分配：
- SOT-223封装：1脚为B（基极），2脚为C（集电极），3脚为E（发射极）。
- SOT-89封装：1脚为B（基极），2脚为C（集电极），3脚为E（发射极）。
- TO-92封装：1脚为E（发射极），2脚为C（集电极），3脚为B（基极）。
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25℃）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：40V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：30V
- 发射极-基极电压（VEBO）：5V
- 集电极电流（DC）：3A
- 集电极电流（脉冲）：7A
- 基极电流：0.6A
- 功耗（SOT-89）：0.5W
- 功耗（SOT-223）：1W
- 功耗（TO-92）：0.5W
- 结温（TJ）：+150℃
- 储存温度（TSTG）：-55℃至+150℃
- 电特性（Ta=25℃）：
- 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：40V
- 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：30V
- 发射极-基极击穿电压（BVEBO）：5V
- 集电极截止电流（IcBO）：至1000nA
- 发射极截止电流（IEBO）：至1000nA
- DC电流增益（hFE1）：在VcE=2V, Ic=20mA时为30至200
- DC电流增益（hFE2）：在Vce=2V, Ic=1A时为100至400
- 集电极-发射极饱和电压（VCE(SAT)）：在Ic=2A, IB=0.2A时为0.3至0.5V
- 基极-发射极饱和电压（VBE(SAT)）：在Ic=2A, IB=0.2A时为1.0至2.0V
- 电流增益带宽积（fr）：在VcE=5V, Ic=0.1A时为80MHz
- 输出电容（Cob）：在VcB=10V, Ic=0, f=1MHz时为45pF
5. 功能详解：
- 2SD882S适用于音频功率放大器、DC-DC转换器、电压调节器等应用。
6. 应用信息：
- 音频功率放大器、DC-DC转换器、电压调节器。
7. 封装信息：
- SOT-223、SOT-89、TO-92封装。
- 包装类型包括胶带卷（Tape Reel）和散装（Bulk）。
