### 物料型号
- 5302DL-T60-K：TO-126封装，无铅镀层。
- 5302DG-T60-K：TO-126封装，无卤素。
- 5302DL-T92-B：TO-92封装，无铅镀层。
- 5302DG-T92-B：TO-92封装，无卤素。
- 5302DL-T92-K：TO-92封装，无铅镀层。
- 5302DG-T92-K：TO-92封装，无卤素。
- 5302DL-TM3-T：TO-251封装，无铅镀层。
- 5302DG-TM3-T：TO-251封装，无卤素。
- 5302DL-TN3-R：TO-252封装，无铅镀层。
- 5302DG-TN3-R：TO-252封装，无卤素。
### 器件简介
UTC 5302D是一系列带有内部续流二极管的NPN硅平面晶体管，适用于功率放大器应用。
### 引脚分配
- B：基极（Base）
- C：集电极（Collector）
- E：发射极（Emitter）
### 参数特性
- Collector-Base Voltage（VCBO）：800V
- Collector-Emitter Voltage（VCEO）：400V
- Emitter-Base Voltage（VEBO）：10V
- Collector Current（Ic）：2A
- Collector Peak Current（ICM）：4A
- Base Current（IB）：1A
- Base Peak Current（IBM）：2A
- Power Dissipation（Po）：不同封装有不同的耗散功率，TO-126为12.5W，TO-92为1.6W，TO-251和TO-252均为25W
- Junction Temperature（TJ）：+150°C
- Storage Temperature（TSTG）：-65°C至+150°C
### 功能详解
UTC 5302D具有内部续流二极管，能有效进行反饱和操作，具有低存储时间分散和低基极驱动电流，非常适合用于半桥式轻球镇流器应用。
### 应用信息
适用于功率放大器应用，特别是在需要内部续流二极管和高电压NPN晶体管的场合。
### 封装信息
- TO-126：5302DL-T60-K和5302DG-T60-K
- TO-92：5302DL-T92-B、5302DG-T92-B、5302DL-T92-K和5302DG-T92-K
- TO-251：5302DL-TM3-T和5302DG-TM3-T
- TO-252：5302DL-TN3-R和5302DG-TN3-R
