物料型号:
- UTC MMBT9013
器件简介:
- NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR,用于1W输出功率的便携式收音机中的B类推挽操作放大器。
- 特点包括高总功率耗散(625mW)、高集电极电流(500mA)、出色的hFE线性以及与UTC MMBT9012互补。
引脚分配:
- 1: EMITTER(发射极)
- 2: BASE(基极)
- 3: COLLECTOR(集电极)
参数特性:
- 绝对最大额定值(Ta=25°C):
- 集电极-基极电压:VCBO 40V
- 集电极-发射极电压:VCEO 20V
- 发射极-基极电压:VEBO 5V
- 集电极电流:Ic 500mA
- 集电极耗散:Pc 225mW
- 结温:Tj 150°C
- 储存温度:TSTG -55~+150°C
功能详解:
- 电气特性(Ta=25°C):
- 集电极-基极击穿电压:BVCBO 40V
- 集电极-发射极击穿电压:BVCEO 20V
- 发射极-基极击穿电压:BVEBO 5V
- 集电极截止电流:ICBO 100nA
- 发射极截止电流:IEBO 100nA
- DC电流增益:hFE1 64-300
- hFE2 40-120
- 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) 0.16-0.6V
- 基极-发射极饱和电压:VBE(sat) 0.91-1.2V
- 基极-发射极导通电压:VBE(on) 0.6-0.7V
应用信息:
- 该晶体管适用于1W输出功率的便携式收音机中的B类推挽操作。
封装信息:
- Pb-free电镀产品型号:MMBT9013L