### 物料型号
- 标准型号:U18-G03-D-K
- 无铅型号:U18L-G03-D-K
### 器件简介
U18是一款利用霍尔效应的半导体集成电路。它设计用于在低供电电压和扩展温度范围内(-20℃至+125℃)操作,特别是在交流磁场中。这款霍尔集成电路适用于各种传感器、无接触开关等应用。
### 引脚分配
- 1:VCC(电源)
- 2:VOUT(输出)
- 3:GND(地)
### 参数特性
- 供电电压范围:2.5V至20V
- 工作温度范围:-20℃至+125℃
- 交流磁场操作
- 输出可直接驱动TTL和MOS集成电路
- 半永久寿命,因为使用了无接触部件
- SIP-3封装
### 功能详解
U18集成电路在+25°C时的操作点(Bop)为5mT,释放点(BRP)为-5mT,滞后(BHYS)为5.5mT。负的磁通密度定义为小于零(代数约定)。典型值在+25°C和12V供电条件下。
### 应用信息
- 速度传感器
- 位置传感器
- 旋转传感器
- 无接触传感器
- 电机控制
- 内置保护二极管
### 封装信息
U18集成电路采用SIP-3封装,有铅和无铅两种版本,分别标记为U18和U18L。