1. 物料型号:
- 型号:UR6515D
- 订购信息:
- UR6515DG-SH2-R:HSOP-8封装,胶带卷装
2. 器件简介:
- UR6515D是一款线性集成电路,用于DDR SDRAM总线终结器应用中,能够提供或吸收连续2A或高达3A的瞬态峰值电流,同时将输出电压调节在40mV以内。它包含一个高速运算放大器,提供快速的负载瞬态响应,仅需10μF的陶瓷输出电容。
3. 引脚分配:
- VCNTL:内部控制电路的电源引脚
- GND:地引脚
- VIN:VOUT输出的电源引脚
- VREF:参考电压输入和活动低关闭控制引脚
- VOUT:输出电压引脚
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值(超出可能导致设备永久损坏):
- VCNT控制电压:6V
- Vin供电电压:6V
- 功率耗散(Ta=25°C):1.33W
- 结温:125°C
- 储存温度:-65~+150°C
- 热数据:
- 结到环境(自然对流,Ta=25°C):75°C/W
- 结到外壳:28°C/W
5. 功能详解:
- 支持DDR1/DDR2/DDR3终结电压应用
- 能够吸收和提供-2A连续电流,DDR1&DDR2峰值3A,DDR3峰值2.5A
- 输出电压偏移在20mV以内
- 通过外部电阻调整输出电压
- 集成功率MOS设备
- 支持Suspend to RAM(STR)功能
- 具有电流限制保护和热关闭保护
- 成本效益高,易于使用
- 无卤素
6. 应用信息:
- 适用于DDR/DDR II/DDR III的输出电压偏移、负载调节、保护等功能。
7. 封装信息:
- HSOP-8封装,胶带卷装,无卤素。