### 物料型号
- 新全球零件编号:CS33-100KF1MD0016(首选零件编号格式)
### 器件简介
- 特点:
- 中心抽头特性
- 小尺寸30 mil x 30 mil
- 符合RoHS绿色标准(5-2008)
- 非常高的电阻值(高达5 MΩ)
- 良好的稳定性0.1%(2000小时,额定功率,在+70°C)
### 引脚分配
- Schematic:Rr = Ry + R2,其中R1 = R2(标准)
### 参数特性
- 测试材料:钝化铬硅
- 电阻范围:10 kΩ至5 MΩ(对于Rr = R1 + R2)
- 温度系数(TCR):±5 ppm/°C(追踪),±100 ppm/°C(绝对值)
- 欧姆值比率:1/1标准(非等值:请咨询)
- 公差:绝对值±0.5%,±1%,±2%
- 匹配:±0.5%标准
- 功率额定值:+25°C时250 mW,+70°C时125 mW,+125°C时50 mW
- 稳定性:典型值±0.1%,最大值±0.2%(在+70°C下2000小时,额定功率)
- 电压系数:0.1 ppm/V
- 工作电压:室温下100 Vpc
- 工作温度范围:-55°C至+155°C
- 存储温度范围:-55°C至+155°C
- 噪声:<-20 dB(典型值),MIL-STD-202方法308
- 热EMF:<0.01 V/°C
- 货架寿命稳定性:200 ppm(+25°C下1年)
### 功能详解
- 铬硅薄膜:非常适合生产高密度和高电阻值的电阻芯片。与厚膜相比,性能和尺寸大大提高。中心抽头配置为混合布局设计提供了更大的灵活性。
### 应用信息
- 应用:适用于需要高密度和高电阻值的混合电路设计。
### 封装信息
- 尺寸:
- A:0.03±0.004英寸(0.76±0.10毫米)
- B:0.03±0.004英寸(0.76±0.10毫米)
- C:0.01±0.015英寸(0.25±0.40毫米)
- D:0.004英寸(0.10毫米)
- E:0.006英寸(0.15毫米)
- F:0.006英寸(0.15毫米)