1. 物料型号:
- 全球统一的新型号为:CS33-100KF1MD0016(推荐型号格式)。
2. 器件简介:
- 该器件为双值片式电阻器,具有中心抽头功能。铬硅薄膜非常适合生产高密度和高阻值的电阻芯片,与厚膜产品相比,性能和尺寸都有了很大提升。中心抽头配置为混合布局设计提供了更大的灵活性。
3. 引脚分配:
- 标准配置为R1=R2,Rr=Ry+R2。
4. 参数特性:
- 尺寸小(30 mil x 30 mil);
- 符合RoHS指令(5-2008);
- 非常高的阻值(高达5 MΩ);
- 良好的稳定性0.1%(2000小时,额定功率,在+70°C时);
- 线焊性。
5. 功能详解:
- 铬硅薄膜非常适合生产高密度和高阻值的电阻芯片,与厚膜产品相比,性能和尺寸都有了很大提升。中心抽头配置为混合布局设计提供了更大的灵活性。
6. 应用信息:
- 该器件适用于需要高阻值和高密度的电阻芯片的应用场合,特别是在需要中心抽头配置以提供混合布局设计灵活性的场合。
7. 封装信息:
- 封装尺寸参数如下:
- A:0.03±0.004英寸(0.76±0.10毫米)
- B:0.03±0.004英寸(0.76±0.10毫米)
- C:0.01±0.015英寸(0.25±0.40毫米)
- D:0.004英寸(0.10毫米)
- E:0.006英寸(0.15毫米)
- F:0.006英寸(0.15毫米)