### 物料型号
- 型号：IRFBC20, SiHFBC20
- 封装：TO-220
- 无铅版本：IRFBC20PbF, SiHFBC20-E3
- 有铅版本：IRFBC20, SiHFBC20
### 器件简介
第三代Power MOSFETs，由Vishay提供，具有快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220封装在大约50W的功率耗散水平下被普遍偏好用于所有商业和工业应用。
### 引脚分配
- G：栅极
- D：漏极
- S：源极
### 参数特性
- 漏源电压(Vds)：600V
- 栅源电压(VGs)：±20V
- 连续漏电流(Id)：在25°C时为2.2A，在100°C时为1.4A
- 脉冲漏电流(IOM)：8.0A
- 单脉冲雪崩能量(EAS)：84mJ
- 重复雪崩电流(IAR)：2.2A
- 重复雪崩能量(EAR)：5.0mJ
- 最大功耗(PD)：50W
- 峰值二极管恢复dV/dt：3.0V/ns
### 功能详解
- 快速开关：提供快速的开关特性。
- 易于并联：简化并联使用的要求。
- 简单的驱动需求：对驱动电路的要求简单。
- 无铅版本可用：提供无铅版本，符合环保要求。
### 应用信息
适用于需要快速开关、高耐压和高耐流的商业和工业应用，如电源管理、电机控制等。
### 封装信息
- 封装类型：TO-220
- 最大结到环境热阻：RthJA 62°C/W
- 最大结到外壳热阻：RthJC 2.5°C
- 外壳到散热器热阻：RthCs 0.50°C/W（涂有导热膏的平面）
