物料型号：
- IRFBC40S
- IRFBC40L
- SiHFBC40S
- SiHFBC40L
器件简介：
第三代Power MOSFETs，提供快速开关、坚固的设备设计、低电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK是表面贴装功率封装，能够容纳HEX-4尺寸的芯片，提供最高的功率能力和最低的电阻。适用于高电流应用，由于其低内部连接电阻，可在典型表面贴装应用中散发高达2.0 W的热量。通过孔版本（IRFBC40L/SiHFBC40L）适用于低剖面应用。
引脚分配：
- D2PAK (TO-263)
- D2PAK (TO-263)
- 12PAK (TO-262)
参数特性：
- 漏源电压（VDs）：600V
- 漏源导通电阻（RDs(on)）@ VGs=10V：1.2Ω
- 栅电荷（Qg(Max.)）：60nC
- 栅源电荷（Qgs）：8.3nC
- 栅漏电荷（Qgd）：30nC
功能详解：
- 表面贴装（IRFBC40S/SiHFBC40S）
- 低剖面通孔（IRFBC40L, SiHFBC40L）
- 可提供胶带和卷轴（IRFBC20S, SiHFBC20S）
- 动态dV/dt评级
- 150°C工作温度
- 快速开关
- 完全雪崩额定
- 无铅可用
应用信息：
适用于需要高电流和低电阻的应用，例如电源管理、电机控制和高功率信号处理。
封装信息：
- D2PAK (TO-263)
- 12PAK (TO-262)
- 无铅和含铅版本均有提供
