### 物料型号
- IRFBE30S
- IRFBE30L
- SiHFBE30S
- SiHFBE30L
### 器件简介
第三代Power MOSFETs来自Vishay，为设计者提供了快速开关、坚固化器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
### 引脚分配
- D2PAK (TO-263)
- 12PAK (TO-262)
### 参数特性
- 漏源电压（VDs）：800V
- 栅源电压（VGs）：±20V
- 连续漏电流（ID）：4.1A（Tc=25°C）
- 脉冲漏电流（IDM）：16A
- 单脉冲雪崩能量（EAS）：260mJ
- 雪崩电流（AR）：4.1A
- 重复雪崩能量（EAR）：13mJ
- 最大功率耗散（P0）：125W
- 峰值二极管恢复dV/dt：2.0V/ns
- 工作结和存储温度范围：-55至+150°C
### 功能详解
- 动态dV/dt评级
- 重复雪崩额定
- 快速开关
- 易于并联
- 简单的驱动要求
- 无铅版本可用
### 应用信息
这些Power MOSFET适用于需要快速开关、高耐压和高耐流的应用场合，如电源管理、电机控制和电动汽车等领域。
### 封装信息
- I2PAK (TO-262)
- D2PAK (TO-263)
