1. 物料型号：
- IRFBF30, SiHFBF30（Vishay Siliconix）
2. 器件简介：
- 第三代MOSFET产品，提供了快速开关、结构稳健、低电阻和成本效益的最佳组合。TO-220封装普遍适用于商业和工业应用，功率耗散水平大约为50W。低热阻和低成本的TO-220封装使其在行业内得到了广泛认可。
3. 引脚分配：
- 单配置（Single Configuration）
4. 参数特性：
- 漏源电压（VDS）：900V
- 导通电阻（RDS(on)）：在VGS=10V时为3.7Ω
- 栅电荷（Qg）最大值：78nC
- 栅源电荷（Qgs）：10nC
- 栅漏电荷（Qgd）：42nC
5. 功能详解：
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 快速开关
6. 应用信息：
- 适用于大约50W的商业和工业应用，特别是在需要快速开关和低电阻的场合。
7. 封装信息：
- 封装类型：TO-220
- 无铅版本：IRFBF30PbF, SiHFBF30-E3
- 含铅版本：IRFBF30, SiHFBF30
