### 物料型号
- IRFD120
- SiHFD120
### 器件简介
第三代Power MOSFETs，由Vishay提供，具有快速开关、坚固化设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
### 引脚分配
4引脚DIP封装，是一种低成本的机器插入式封装样式，可以在标准的0.1"引脚中心上进行多层堆叠。双漏极作为热链接到安装表面，用于高达1W的功率耗散水平。
### 参数特性
- 漏源电压（Vps）：100V
- 栅源电压（VGs）：±20V
- 连续漏电流（I）：1.3A（Tc=25°C）
- 脉冲漏电流（IDM）：10A
- 线性降额因子：0.0083 W/°C
- 单脉冲雪崩能量（EAS）：100mJ
- 重复雪崩电流（IAR）：1.3A
- 重复雪崩能量（EAR）：0.13mJ
- 最大功率耗散（PD）：1.3W
- 峰值二极管恢复dV/dt（dV/dt）：5.5V/ns
- 工作结和存储温度范围（TJ,Tstg）：-55至+175°C
### 功能详解
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 适用于自动插入
- 端对端堆叠
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 易于并联
- 无铅版本可用
### 应用信息
该器件适用于需要快速开关、高耐压和高功率耗散的应用场合。
### 封装信息
- 封装类型：HEXDIP
- 无铅版本：IRFD120PbF, SiHFD120-E3
- 有铅版本：IRFD120, SiHFD120
