### 物料型号
- 型号：IRFD123, SiHFD123
### 器件简介
- 描述：Vishay的第三代N-Channel MOSFET，提供快速开关、坚固的器件设计、低电阻和成本效益的最佳组合。
- 封装：4引脚DIP封装，低成本机器插入式封装风格，可以在标准的0.1"引脚中心上堆叠多种组合。
- 散热：双引脚作为热链接到安装表面，用于高达1W的功率耗散水平。
### 引脚分配
- 引脚：4引脚DIP封装。
### 参数特性
- 动态dV/dt额定值：具有动态dV/dt额定值。
- 重复雪崩额定：重复雪崩额定。
- 操作温度：175°C操作温度。
- 快速开关：快速开关。
- 易于并联：易于并联。
- 无铅：提供无铅版本。
### 功能详解
- 快速开关：提供快速开关能力。
- 低电阻：低导通电阻。
- 成本效益：具有成本效益。
### 应用信息
- 应用：适用于需要快速开关和高功率耗散的应用。
### 封装信息
- 封装类型：4引脚DIP封装。
- 封装特点：可以在标准的0.1"引脚中心上堆叠多种组合，适用于机器插入。
