### 物料型号
- IRFD320PbF（无铅）
- SiHFD320-E3
- IRFD320（含铅）
- SiHFD320
### 器件简介
第三代Power MOSFETs，提供快速开关、结构坚固、低电阻和成本效益的最佳组合。4引脚DIP封装是一种低成本的机器插入式封装样式，可以在标准的0.1"管脚中心上以多种组合堆叠。双引脚作为热链接到安装表面，用于高达1W的功耗水平。
### 引脚分配
- HEXDIP封装，4引脚
### 参数特性
- 漏源电压（VDs）：400V
- 漏源导通电阻（RDs(on)）：在Vas=10V时为1.8Ω
- 最大栅电荷（Qg）：20nC
- 栅源电荷（Qgs）：3.3nC
- 栅漏电荷（Qgd）：11nC
- 配置：单颗
### 功能详解
- 快速开关
- 结构坚固
- 易于并联
- 简单的驱动要求
- 无铅版本可用
### 应用信息
适用于需要快速开关、结构坚固、低电阻和成本效益的应用场合。
### 封装信息
- 封装类型：HEXDIP
- 引脚：4引脚
