1. 物料型号：
- IRFD9120PbF（无铅）
- SiHFD9120-E3（无铅）
- IRFD9120（含铅）
- SiHFD9120（含铅）
2. 器件简介：
- 第三代Power MOSFET，提供快速开关、坚固的器件设计、低电阻和成本效益的最佳组合。
- 4引脚DIP封装，低成本且可机器插入，可堆叠组合在标准的0.1"引脚中心上。
- 双漏极作为热链接到安装表面，用于高达1W的功率耗散。
3. 引脚分配：
- 4引脚DIP封装。
4. 参数特性：
- 漏源电压（VDS）：-100V
- 栅源电压（VGS）：-1.0V
- 连续漏极电流（ID）：-0.70A（TC=100°C）
- 脉冲漏极电流（IDM）：-8.0A
- 单脉冲雪崩能量（EAS）：140mJ
- 重复雪崩电流（IAR）：-1.0A
- 重复雪崩能量（EAR）：0.13mJ
- 最大功率耗散（PD）：1.3W
- 峰值二极管恢复dV/dt：-5.5V/ns
5. 功能详解：
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 适用于自动插入
- 端堆叠
- P沟道
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 无铅版本可用
6. 应用信息：
- 适用于需要快速开关、高耐压、低导通电阻和成本效益的应用。
7. 封装信息：
- HEXDIP封装。
