IRFD9210

### 物料型号 - 型号：IRFD9210, SiHFD9210 - 封装：HEXDIP - 无铅版本：IRFD9210PbF, SiHFD9210-E3 - 有铅版本：IRFD9210, SiHFD9210

### 器件简介 - 技术：Power MOSFETs技术是Vishay先进功率MOSFET晶体管系列的关键。 - 特点：高效的几何形状和独特的加工技术实现了非常低的导通电阻，高跨导和极端的器件坚固性。 - 封装：4引脚DIP封装是一种低成本的机器插入式案例风格，可以在标准的0.1"引脚中心上以多种组合堆叠。 - 散热：双引脚作为热链接到安装表面，以实现高达1W的功耗水平。

### 引脚分配 - P-Channel MOSFET：具有4个引脚的DIP封装。

### 参数特性 - 最大漏源电压：-200V - 栅源电压：±20V - 连续漏电流：-0.40A（25°C时）和-0.25A（100°C时） - 脉冲漏电流：-3.2A - 最大功耗：1.0W - 峰值二极管恢复dV/dt：-5.0V/ns

### 功能详解 - 动态dV/dt评级：具有动态dV/dt评级。 - 重复雪崩评级：具有重复雪崩评级。 - 快速开关：快速开关特性。 - 易于并联：易于并联。 - 无铅版本可用：提供无铅版本。

### 应用信息 - 应用：适用于需要高功率、快速开关和高耐用性的应用场合。

### 封装信息 - 封装类型：HEXDIP - 引脚中心距：0.1英寸 - 堆叠：可以在标准0.1英寸引脚中心上堆叠多种组合。