### 物料型号
- 型号：IRFI9640G, SiHFI9640G
### 器件简介
- 描述：第三代Power MOSFETs，由Vishay提供，具有快速开关、坚固化设计、低电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK封装消除了商业工业应用中额外绝缘硬件的需求。使用的模塑料提供了高隔离能力和低热阻，等同于使用100微米云母屏障的标准TO-220产品。FULLPAK通过单个夹子或单个螺丝固定安装到散热器上。
### 引脚分配
- 引脚：G(栅极), D(漏极), S(源极)
### 参数特性
- 漏源电压(VDs)：200V
- 漏源导通电阻(RDs(on))：在VGs=-10V时为0.50Ω
- 最大栅电荷(Qg)：44nC
- 栅源电荷(Qgs)：7.1nC
- 栅漏电荷(Qgd)：27nC
### 功能详解
- 特点：
- 隔离封装
- 高电压隔离：2.5kVRMS（60秒）
- P沟道
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
- 无铅可用，符合RoHS
### 应用信息
- 应用：商业工业应用，无需额外绝缘硬件。
### 封装信息
- 封装：TO-220 FULLPAK
- 无铅版本：IRFI9640GPbF, SiHFI9640G-E3
- 含铅版本：IRFI9640G, SiHFI9640G
