物料型号：
- IRFIB7N50L
- SiHFIB7N50L
器件简介：
- 该器件是一款N-Channel MOSFET，具有超快体二极管，无需外部二极管即可在ZVS应用中使用。
- 低栅极电荷，简化了驱动要求。
- 提供增强的dV/dt能力，提高了鲁棒性。
- 更高的栅极电压阈值，提高了噪声免疫能力。
引脚分配：
- 器件配置为单配置。
参数特性：
- 漏源电压(VDS)：500V
- 漏源导通电阻(RDS(on))：在VGS = 10V时为0.320Ω
- 栅极电荷(Qg)最大值：92nC
- 栅源电荷(Qgs)：24nC
- 栅漏电荷(Qgd)：44nC
功能详解：
- 适用于零电压开关SMPS、电信和服务器电源、不间断电源、电机控制应用。
- 符合RoHS标准，无铅。
应用信息：
- 零电压开关SMPS
- 电信和服务器电源
- 不间断电源
- 电机控制应用
封装信息：
- 封装类型为TO-220 FULLPAK，无铅。
