IRFP048RPBF

物料型号： - IRFP048R - SiHFP048R

器件简介： 第三代Power MOSFETs由Vishay提供，为设计者提供了快速开关、结构坚固、低电阻和成本效益的最佳组合。

引脚分配： - 器件为单配置（Single Configuration）。

参数特性： - 漏源电压（Vds）：60V - 栅源电压（Vgs）：±20V - 连续漏电流（Id）：在25°C时为70A，100°C时为52A - 脉冲漏电流（Idm）：290A - 单脉冲雪崩能量（EAS）：200mJ - 最大功率耗散（PD）：190W - 峰值二极管恢复dV/dt：4.5V/ns - 工作结温和存储温度范围：-55至+175℃

功能详解： - 动态dV/dt额定值 - 隔离的中央安装孔 - 提供了TO-247AC封装，适用于商业工业应用，其中更高的功率水平排除了使用TO-220AB设备的可能性。

应用信息： - 适用于需要更高功率水平的商业工业应用，特别是在需要隔离安装孔和更大爬电距离以满足大多数安全规范要求的场合。

封装信息： - 封装类型：TO-247AC - 无铅版本型号：IRFP048RPbF, SiHFP048R-E3 - 有铅版本型号：IRFP048R, SiHFP048R