物料型号：
- IRFP054
- SiHFP054
器件简介：
第三代Vishay Siliconix生产的Power MOSFET，为设计者提供了快速开关、结构强化、低电阻和成本效益的最佳组合。
引脚分配：
- S：源极
- D：漏极
- G：栅极
参数特性：
- 漏源电压（VDs）：60V
- 栅源电压（VGs）：±20V
- 连续漏极电流（ID）：70A（Tc= 25°C时）
- 脉冲漏极电流（IDM）：360A
- 单脉冲雪崩能量（EAS）：640mJ
- 最大功率耗散（PD）：230W
- 峰值二极管恢复dV/dt（dV/dt）：4.5V/ns
- 工作结温和存储温度范围（TJ,Tstg）：-55至+175°C
功能详解：
- 快速开关
- 易于并联
- 简单的驱动要求
- 无铅版本可用
应用信息：
- 适用于商业工业应用，其中较高的功率水平排除了使用TO-220封装的可能性。TO-247封装由于其隔离的安装孔和更大的爬电距离，类似于但优于早期的TO-218封装，以满足大多数安全规范的要求。
封装信息：
- 封装类型：TO-247
- 无铅版本：IRFP054PbF、SiHFP054-E3
- 有铅版本：IRFP054、SiHFP054
