### 物料型号
- IRFP21N60L
- SiHFP21N60L
### 器件简介
- 该文档描述的是一种N-Channel MOSFET，具有以下特点：
- 超快体二极管，消除了ZVS应用中外部二极管的需求
- 低栅极电荷，简化了驱动
- 增强的dV/dt能力，提高了鲁棒性
- 更高的栅极电压阈值，提高了噪声免疫能力
- 无铅版本可用
### 引脚分配
- 器件配置为单颗（Single）
### 参数特性
- 最大漏源电压（VDs）：600V
- 栅源电压（VGs）：±30V
- 连续漏电流（I）：在25°C时为21A，100°C时为13A
- 脉冲漏电流（IDM）：84A
- 最大功率耗散（PD）：在25°C时为330W
- 峰值二极管恢复dV/dt：16V/ns
### 功能详解
- 该MOSFET适用于零电压开关SMPS、电信和服务器电源、不间断电源、电机控制应用等。
- 提供了详细的电气特性，包括静态和动态参数，如漏源击穿电压、栅源阈值电压、输入电容、输出电容等。
### 应用信息
- 适用于需要高效率和高功率密度的应用，如开关电源和电机控制。
### 封装信息
- 封装类型：TO-247
- 无铅版本：IRFP21N60LPbF
- 有铅版本：IRFP21N60L
