物料型号：
- IRFP250
- SiHFP250
器件简介：
第三代Power MOSFETs，提供快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
引脚分配：
- D（漏极）
- S（源极）
- G（栅极）
参数特性：
- 漏源电压（Vds）：200V
- 栅源电压（Vgs）：±20V
- 连续漏极电流（Id）：在25°C时为30A，在100°C时为19A
- 脉冲漏极电流（IOM）：120A
- 单脉冲雪崩能量（EAS）：410mJ
- 重复雪崩电流（AR）：30A
- 重复雪崩能量（EAR）：19mJ
- 最大功率耗散（PD）：190W
- 峰值二极管恢复dV/dt（dV/dt）：5.0V/ns
功能详解：
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
应用信息：
- 适用于商业工业应用，特别是在更高功率水平排除了使用TO-220器件的情况下，TO-247封装由于其隔离的安装孔和更大的爬电距离而受到青睐。
封装信息：
- 封装类型：TO-247
- 无铅：IRFP250PbF, SiHFP250-E3
- 含铅：IRFP250, SiHFP250
