### 物料型号
- 型号:RMK 33N
- 制造商:Vishay Sfernice
### 器件简介
- 这是一种双值芯片电阻,中心抽头,具有高精度和非常低的温度系数(小于10ppm/°C),符合RoHS标准,具有优异的稳定性(0.03%,在+70°C下2000小时,额定功率)。
### 引脚分配
- 标准配置为R=R+Rg,其中R1=R2(可应要求提供不同值)。
### 参数特性
- 温度系数(TCR):5ppm/°C(ABS),1ppm/°C(TRACKING)。
- 绝对比率公差:0.1%,0.05%,0.02%,0.01%。
- 功率额定值:在25°C时为125mW,在+70°C时为50mW,在+125°C时为25mW。
- 稳定性:在+70°C下2000小时内典型值为300ppm。
- 电压系数:小于0.01ppm/V。
- 工作电压:在Rr上100Vpc。
- 工作温度范围:-55°C至+155°C。
- 存储温度范围:-55°C至+155°C。
- 噪声:典型值小于-35dB(MIL-STD-202方法308)。
- 热EMF:小于0.01VC。
- 货架寿命稳定性:1年内50ppm。
### 功能详解
- 这些第三代镍铬微芯片电阻器提供了以前传统第二代薄膜金属技术无法达到的精度和热/时间稳定性标准,特别适用于需要高精度和高稳定性的军事和工业环境。
### 应用信息
- 适用于需要高精度、高稳定性的微芯片,特别是在现代混合电路日益增长和复杂的军事和工业环境中。
### 封装信息
- 尺寸:
- A:0.03±0.004英寸(0.76±0.10毫米)
- B:0.03±0.004英寸(0.76±0.10毫米)
- C:0.01至0.015英寸(0.25至0.40毫米)
- D:0.006英寸(0.15毫米)
- E:0.004英寸(0.10毫米)
- F:0.006英寸(0.15毫米)
- 电阻元件:钝化镍铬
- 基板材料:硅(可应要求提供氧化铝)
- 封装体:硅
- 钝化:硅氮化物
- 键合垫:铝