SI9166

SI9166

  • 厂商:

    VISHAY

  • 封装:

  • 描述:

    SI9166 - High Frequency Programmable Topology Controller - Vishay Siliconix

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SI9166 数据手册
Si9166 Vishay Siliconix High Frequency Programmable Topology Controller FEATURES D D D D Buck or Boost Configuration Voltage Mode Control 2.7-V to 6-V Input Voltage Range for VDD and VS Programmable PWM/PSM Control − Up to 2-MHz Switching Frequency in PWM − Synchronous Rectification in PWM − Less than 200-mA IDD in PSM D D D D Integrated UVLO and POR Integrated Soft-Start Synchronization Shutdown Current
SI9166
1. 物料型号: - Si9166BQ-T1 - Si9166BQ-T1-E3:工业温度范围(-25°C至85°C),适用于胶带和卷轴封装。 - Si9166DB:评估套件,工业温度范围(-25°C至85°C),表面贴装。

2. 器件简介: - Si9166是一款适用于不断变化的便携电子市场的可编程拓扑控制器,提供灵活性以使用各种电池配置和化学成分,如NiCd、NiMH或Li+,输入电压范围为2.7V至6V。Si9166可编程为同步降压或升压拓扑结构,以实现超高效率。

3. 引脚分配: - Vs(1):输出驱动部分的输入供电电压,输入电压范围为2.7V至6V。 - N/C(2):未使用。 - DH(3):高侧P沟道MOSFET的栅极驱动输出。 - PWM/PSM(4):逻辑高=PWM模式,逻辑低=PSM模式。 - SYNC(5):外部控制的同步信号。 - GND(6):低功耗控制器地。 - VREF(7):1.3V参考电压。 - FB(8):输出电压反馈。 - COMP(9):误差放大器输出。 - RosC(10):外部电阻,用于确定开关频率。 - VDD(11):模拟电路的输入供电电压,输入电压范围为2.7V至6V。 - Vo(12):直接输出电压感应。 - PGND(13):输出驱动阶段的电源地。 - DL(14):低侧N沟道MOSFET的栅极驱动输出。 - SD(15):完全关闭IC,将IC消耗的电流降至<1μA。 - MODE(16):确定转换器拓扑结构,连接至AGND为降压,连接至VDD为升压。

4. 参数特性: - 输入电压范围:2.7V至6V。 - 开关频率:200kHz至2MHz。 - 参考电压:1.3V。 - 具有UVLO和POR。 - 集成软启动。 - 可编程PWM/PSM控制。 - 关机电流:<1μA。 - 2MHz的开关频率。 - 同步整流。 - 在PSM下IDD小于200μA。

5. 功能详解: - Si9166能够以高达2MHz的频率切换,以最小化输出电感和电容的大小,从而减小整体转换器的尺寸。 - 设计用于在全负载下以同步整流PWM模式运行,在轻负载下转换为外部控制的脉冲跳变模式(PSM)。 - 通过MODE引脚选择降压或升压拓扑。 - PWM/PSM模式下,开关频率保持恒定,而在PSM模式下,通过减少大部分内部控制电路的工作,将空闲电流从500μA降至约200μA。

6. 应用信息: - 适用于需要高效率和灵活性的便携电子设备,如电源放大器、微控制器或基带逻辑IC的电源。
SI9166 价格&库存

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