SI9166BQ-T1-E3

SI9166BQ-T1-E3

  • 厂商:

    VISHAY

  • 封装:

  • 描述:

    SI9166BQ-T1-E3 - High Frequency Programmable Topology Controller - Vishay Siliconix

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SI9166BQ-T1-E3 数据手册
Si9166 Vishay Siliconix High Frequency Programmable Topology Controller FEATURES D D D D Buck or Boost Configuration Voltage Mode Control 2.7-V to 6-V Input Voltage Range for VDD and VS Programmable PWM/PSM Control − Up to 2-MHz Switching Frequency in PWM − Synchronous Rectification in PWM − Less than 200-mA IDD in PSM D D D D Integrated UVLO and POR Integrated Soft-Start Synchronization Shutdown Current
SI9166BQ-T1-E3
物料型号: - Si9166BQ-T1 - Si9166BQ-T1-E3(-25到85°C温度范围,卷带包装) - Si9166DB(评估套件,-25到85°C温度范围,表面贴装)

器件简介: Si9166是一款适用于不断变化的便携电子市场的可编程拓扑控制器。它支持多种电池配置和化学类型(如NiCd、NiMH或Li+),输入电压范围为2.7V至6V。Si9166提供同步降压或升压拓扑结构,旨在为多种负载(如功率放大器、微控制器或基带逻辑IC)提供动力。在全负载下以同步整流PWM模式运行,以实现超高效率,而在轻负载下则转换为外部控制的脉冲跳跃模式(PSM)。Si9166能够在不牺牲系统集成要求的情况下,适应越来越小的空间。

引脚分配: 1. Vs:输出驱动部分的输入供电电压,输入电压范围2.7V至6V。 2. N/C:未使用。 3. DH:高侧P沟道MOSFET的栅极驱动输出。 4. PWM/PSM:逻辑高=PWM模式,逻辑低=PSM模式。 5. SYNC:外部控制的同步信号。 6. GND:低功耗控制器地。 7. VREF:1.3V参考电压。 8. FB:输出电压反馈。 9. COMP:误差放大器输出。 10. RosC:确定开关频率的外部电阻。 11. VDD:模拟电路的输入供电电压,输入电压范围2.7V至6V。 12. Vo:直接输出电压感应。 13. PGND:输出驱动阶段的电源地。 14. DL:低侧N沟道MOSFET的栅极驱动输出。 15. SD:完全关闭IC并减少IC消耗的电流至<1μA。 16. MODE:确定转换器拓扑结构。

参数特性: - 输入电压范围:2.7V至6V。 - 开关频率:200kHz至2MHz。 - 参考电压:1.3V。 - 电源抑制比(PSRR):60dB。 - 输出电压:1.268V至1.332V。 - 负载调整率:3mV。

功能详解: Si9166具有UVLO和POR功能,电压模式控制,集成软启动,同步功能,可编程PWM/PSM控制,关闭电流<1μA,2MHz开关频率,PWM中的同步整流,PSM中<200μA IDD。Si9166能够在2MHz开关以最小化输出电感和电容尺寸,从而减小整体转换器尺寸。

应用信息: Si9166适用于需要高效率和灵活性的便携电子市场,如移动设备、电源放大器、微控制器或基带逻辑IC的供电。
SI9166BQ-T1-E3 价格&库存

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