1. 物料型号：
- Si9166BQ-T1
- Si9166BQ-T1-E3（适用于-25到85°C的温度范围，胶带和卷轴封装）
- Si9166DB（评估套件，适用于-25到85°C的温度范围，表面贴装）
2. 器件简介：
Si9166是一款可编程拓扑控制器，适用于不断变化的便携电子市场。它支持NiCd、NiMhy或Li+等多种电池配置和化学成分，输入电压范围为2.7V至6V。Si9166提供同步降压或升压拓扑结构，设计用于在全负载下以同步整流PWM模式运行，在轻负载下转换为外部控制的脉冲跳跃模式（PSM）。Si9166能够在2MHz的开关频率下工作，以减小输出电感器和电容器的尺寸，从而减小整体转换器尺寸。
3. 引脚分配：
- Vs：输入供电电压，用于输出驱动部分，输入电压范围2.7V至6V。
- N/C：未使用。
- DH：高侧P沟道MOSFET的栅极驱动输出。
- PWM/PSM：逻辑高=PWM模式，逻辑低=PSM模式。
- SYNC：外部控制的同步信号。
- GND：低功耗控制器地。
- VREF：1.3V参考电压。
- FB：输出电压反馈连接到误差放大器的反相输入。
- COMP：误差放大器输出，用于外部补偿网络。
- RosC：外部电阻，用于确定开关频率。
- VDD：模拟电路的输入供电电压，输入电压范围2.7V至6V。
- Vo：直接输出电压感应。
- PGND：输出驱动阶段的电源地。
- DL：低侧N沟道MOSFET的栅极驱动输出。
- SD：完全关闭IC并减少IC消耗的电流至<1μA。
- MODE：确定转换器拓扑结构，连接至AGND为降压，连接至VDD为升压。
4. 参数特性：
- 输出电压：1.268V至1.332V。
- 负载调整率：3mV。
- 电源抑制比：60dB。
- 欠压锁定（UVLO）：2.3V至2.5V。
- 软启动时间：6ms。
5. 功能详解：
Si9166提供多种功能，包括降压或升压配置、集成UVLO和POR、电压模式控制、集成软启动、同步功能、可编程PWM/PSM控制等。在PWM模式下，开关频率保持恒定，而在PSM模式下，控制器在轻负载下减少功耗，通过脉冲跳跃模式降低开关频率，以提高效率。
6. 应用信息：
Si9166适用于需要高效率和灵活性的便携电子设备，如电源放大器、微控制器或基带逻辑IC的电源。
