1. 物料型号：
- 型号为SQ2360EES，由Vishay Siliconix生产。
2. 器件简介：
- 该器件为汽车级N沟道60V（D-S）175°C MOSFET。
- 特点包括无卤素、符合RoHS指令、100% $R_g$ 和UIS测试、符合AEC-Q101标准、典型ESD保护800V。
3. 引脚分配：
- SOT-23封装，引脚1为栅极（Gate），引脚2为源极（Source），引脚3为漏极（Drain），漏极同时提供从封装到PCB的热连接。
4. 参数特性：
- 漏源电压（VDS）：60V
- 栅源电压（VGS）：±20V
- 连续漏极电流（ID）：在25°C时为4.4A，125°C时为2.5A
- 脉冲漏极电流（IDM）：17A
- 最大功耗（PD）：在125°C时为3W，25°C时为1W
- 工作结温和存储温度范围（TJ, Tstg）：-55至+175°C
- 热阻（RthJA和RthJF）：分别为166°C/W和50°C/W
5. 功能详解：
- 详细规格包括静态和动态参数，如漏源击穿电压、栅源阈值电压、栅源漏电流、零栅压漏电流、开通状态下的漏电流、漏源导通电阻、正向跨导等。
6. 应用信息：
- 适用于汽车级应用，具有特定的热阻和电气特性，以满足汽车环境下的严格要求。
7. 封装信息：
- 采用SOT-23（TO-236）3引脚封装，详细尺寸包括最小值、最大值以及英寸和毫米单位。
