1. 物料型号：
- 型号：SQ3442EV
- 制造商：Vishay Siliconix
2. 器件简介：
- 该器件是一个汽车级的N沟道20V（D-S）175°C MOSFET，具有以下特点：
- 无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
- TrenchFET® Power MOSFET
- AEC-Q101认证
- 100% $R_g$ 和 UIS 测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
3. 引脚分配：
- TSOP-6封装，引脚1、2、5和6连接到MOSFET的漏极（Drain），并且它们是连接在一起的。
4. 参数特性：
- 漏源电压（Vps）：20V
- 栅源电压（Vas）：±8V
- 连续漏极电流（Id）：在25°C时为4.3A，在125°C时为2.5A
- 脉冲漏极电流（IOM）：17A
- 单脉冲雪崩电流（IAs）：6A
- 单脉冲雪崩能量（EAS）：1.8mJ
- 最大功率耗散（PD）：在25°C时为1.7W，在125°C时为0.6W
- 工作结和存储温度范围（TJ,Tstg）：-55至+175°C
5. 功能详解：
- 该器件为N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高雪崩能量的特点，适用于汽车和工业应用。
6. 应用信息：
- 适用于需要高可靠性和高能效的汽车和工业领域。
7. 封装信息：
- TSOP-6封装，具体尺寸和英寸/毫米值如下：
- A: 最小0.91mm，名义1.10mm，最大1.25mm
- A1: 最小0.01mm，名义0.10mm，最大0.15mm
- A2: 最小0.90mm，名义1.00mm，最大1.05mm
- b: 最小0.30mm，名义0.32mm，最大0.45mm
- C: 最小0.10mm，名义0.15mm，最大0.20mm
- D: 最小2.95mm，名义3.05mm，最大3.10mm
- E: 最小2.70mm，名义2.85mm，最大2.98mm
- E1: 最小1.55mm，名义1.65mm，最大1.70mm
- e: 名义0.95mm
- e1: 最小1.80mm，名义1.90mm，最大2.00mm
- L: 最小0.32mm，名义0.50mm
- L1: 参考0.60mm
- L2: 名义0.25mm
- R: 最小0.10mm
- 角度: 4°和8°
