1. 物料型号：
- 型号名称：SQ3460EV
- 制造商：Vishay Siliconix
2. 器件简介：
- SQ3460EV是一款汽车级N沟道20V（D-S）175°C MOSFET。
- 特点包括无卤素、符合AEC-Q101标准、100% $R_g$ 和UIS测试、符合RoHS指令2002/95/EC。
3. 引脚分配：
- TSOP-6封装，其中引脚1、2、5和6连接到MOSFET的漏极（Drain），并且它们是连接在一起的。
4. 参数特性：
- 漏源电压（Vds）：20V
- 漏源导通电阻（Rds(on)）在Vas = 4.5V时为0.030欧姆，Vas = 2.5V时为0.034欧姆，Vas = 1.8V时为0.038欧姆
- 连续漏极电流（Id）：8A（在25°C时）和4.8A（在125°C时）
5. 功能详解：
- 该器件是一个TrenchFET® Power MOSFET，具有低导通电阻和高耐压特性。
- 它还具有防静电测试和100%的$R_g$和UIS测试，确保了产品的可靠性。
6. 应用信息：
- 由于其汽车级认证和高耐温特性，SQ3460EV适用于汽车电子应用。
7. 封装信息：
- 封装类型为TSOP-6。
- 封装尺寸详细说明包括长度、宽度和高度的最小值、名义值和最大值，单位为毫米和英寸。
