### 物料型号
- 型号:TA 33
- 制造商:Vishay Sfernice
### 器件简介
- 特点:
- 双值,芯片电阻中心抽头
- 中心抽头特性
- 电阻材料:自钝化钽氮化物
- 硅基底,良好的功率耗散
- 低成本
### 引脚分配
- 标准:RT = R1 + R2,其中R1 = R2
### 参数特性
- 电阻范围:50欧姆至500千欧姆
- 温度系数(TCR):
- 跟踪 ±5 ppm/°C(-55°C至+155°C)
- 绝对 ±100 ppm/°C(±50 ppm/°C可选)
- 公差:
- 比例1/1标准
- 绝对 ±0.5%,±1%,±2%
- 匹配 ±0.5%标准
- 功率耗散:
- 25°C时250毫瓦
- 70°C时125毫瓦
- 125°C时50毫瓦
- 稳定性:典型±0.07%,最大±0.1%,2000小时在70°C下额定功率
- 工作电压:RT上50伏直流电
- 操作温度范围:-55°C至+155°C
- 存储温度范围:-55°C至+155°C
- 噪声:典型<-35dB(MIL-STD-202方法308)
- 热电动势:0.01µV/°C
- 货架寿命稳定性:25°C下100ppm,1年
### 功能详解
- 性能:这些钽芯片结合了优秀的稳定性(2000小时,额定功率在70°C下0.07%)和强大的功率处理能力。每个端点的两个绑定垫提供了更大的灵活性在混合布局设计中。
### 应用信息
- 应用:适用于需要中心抽头特性和良好功率耗散的应用,如混合信号电路设计。
### 封装信息
- 尺寸:提供了详细的英寸和毫米尺寸表。
- 机械规格:
- 电阻元件:钽氮化物
- 基底材料:硅
- 钝化:自钝化
- 绑定垫:铝