### 物料型号
- 全球新型号:TA33-100KF1MD0016
### 器件简介
- 特点:
- 中心抽头特性
- 电阻材料:自钝化钽氮化物
- 硅基底,有利于良好的功率耗散
- 低成本
### 引脚分配
- SCHEMATIC:RT = R1 + R2,其中R1 = R2为标准配置。
### 参数特性
- 电阻范围:50欧姆至500千欧姆(对于Rr = R1 + R2)
- 温度系数(TCR):
- 跟踪:5ppm/°C
- 绝对值:100ppm/°C(可定制为50ppm/°C)
- 公差:
- 比率:1/1标准
- 绝对值:±0.5%,±1%,±2%
- 匹配:±0.5%标准
- 功率耗散:+25°C时250毫瓦,+70°C时125毫瓦,+125°C时50毫瓦
- 稳定性:典型±0.07%,最大0.1%,在70°C下2000小时
- 工作电压:50伏直流电在R1上
- 工作温度范围:-55°C至+155°C
- 存储温度范围:-55°C至+155°C
- 噪声:典型<-35dB(MIL-STD-202方法308)
- 热EMF:0.01V/°C
- 货架寿命稳定性:100ppm,1年在+25°C
### 功能详解
- 性能:这些钽芯片结合了优秀的稳定性(0.07%,2000小时,额定功率在70°C)和强大的功率处理能力。每个端点的两个邦定垫提供了在混合布局设计中更大的灵活性。
### 应用信息
- 应用:文档中未明确提及具体应用,但根据其特性,适用于需要中心抽头和良好功率耗散的场合。
### 封装信息
- 尺寸:提供了详细的英寸和毫米尺寸,包括A、B、C、D、E、F等参数。
- 机械规格:
- 电阻元件:钽氮化物
- 基底材料:硅
- 钝化:自动钝化
- 邦定垫:铝