1. 物料型号:
- 型号:TA 33,来自Vishay Sfernice。
2. 器件简介:
- 该器件为双值芯片电阻,具有中心抽头功能,由自钝化氮化钽材料制成,符合RoHS指令,使用硅基底以获得良好的功率耗散,成本较低。
3. 引脚分配:
- 每个终端有两个焊接垫,允许在混合布局设计中具有更大的灵活性。
4. 参数特性:
- 温度系数(TCR):100 ppm/°C(绝对值)和5 ppm/°C(追踪值)。
- 电阻值公差:0.5%和0.5%(追踪值)。
- 功率耗散:在+25°C时为250 mW,在+70°C时为125 mW,在+125°C时为50 mW。
- 稳定性:在+70°C下2000小时内典型值为0.07%,最大值为0.1%。
- 工作电压:在室温下为50 Vpc。
- 工作温度范围:-55°C至+155°C。
- 存储温度范围:-55°C至+155°C。
- 噪声:典型值低于-35 dB(MIL-STD-202方法308)。
- 热EMF:0.01 VC。
- 货架寿命稳定性:在+25°C下一年内为100 ppm。
5. 功能详解和应用信息:
- 这些钽芯片结合了优秀的稳定性和大功率处理能力,适合用于混合布局设计。
6. 封装信息:
- 提供了详细的尺寸参数,包括英寸和毫米单位的尺寸数据。