1. 物料型号:
- 型号:EDI7F4342MV
- 速度:120ns 和 150ns
- 封装:80 PIN SIMM (JEDEC)
2. 器件简介:
- EDI7F4342MV模块由四个2Mx32的存储区组成,基于Intel的E28F016S3 Flash设备,这些设备以TSOP封装安装在FR4基板上。
- 模块提供120到150纳秒的访问时间,能够支持高速微处理器无需等待状态的操作。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:Vss(地)
- 2号引脚:Vcc(电源)
- 3号引脚:VPP(编程电源)
- 4号至80号引脚:包括数据输入/输出(DQ0-DQ31)、地址输入(A0-A20)、芯片使能(E0#-E3#)、写使能(W0#-W3#)等。
4. 参数特性:
- 地址线电容:最大140pF
- 数据线电容:最大60pF
- 芯片和写使能线电容:最大60pF
- 输出使能线电容:最大140pF
5. 功能详解:
- 模块提供了快速的读访问时间,支持高速微处理器的操作。
- 支持2.7-3.6V的编程擦除和读操作电压。
- 支持12Vpp快速生产编程。
- 低功耗消耗,活动电流每设备30mA,CMOS待机电流典型值20µA。
- 耐擦写次数超过100,000次。
6. 应用信息:
- 适用于需要高速存储和数据保持的应用,如微处理器的高速缓存或存储器扩展。
7. 封装信息:
- 封装号394:80 PIN SIMM (JEDEC)。