### 物料型号
- 型号:EDI88130CS
- 技术:CMOS标准功耗(5V)
- 访问时间:15ns, 17ns, 20ns, 25ns, 35ns, 45ns, 55ns
- 封装类型:多种封装选项,包括DIP、SOJ、LCC、Flatpack等
### 器件简介
EDI88130CS是一款高速、高性能的128Kx8位单体静态RAM。支持双芯片使能线,用于总线控制,提供系统内存安全性,并在高速电池支持系统中实现内存分页。
### 引脚分配
- 双向输入输出线:8条,用于同时访问一个字中的所有位。
- 地址线:A0-A16
- 控制信号:WE#(写使能)、CS1#和CS2#(芯片选择)、OE#(输出使能)
- 电源和地:Vcc(电源)、Vss(地)
- 未连接引脚:NC
### 参数特性
- 访问时间:15ns, 17ns, 20ns, 25ns, 35ns, 45ns, 55ns
- 电源电压:单+5V(±10%)
- 数据保持电压:2V(EDI88130LPS)
- 工作温度范围:商业、工业和军事温度范围
### 功能详解
- 芯片使能功能:CS1#, CS2#和OE#用于总线控制。
- 低功耗版本:EDI88130LPS,提供2V数据保持功能,适用于电池备份应用。
- 军事产品:符合MIL-PRF38535标准的军事产品。
### 应用信息
适用于需要高速访问和大容量存储的系统,特别是在需要电池备份和内存分页的高速系统中。
### 封装信息
- 32引脚侧烧结陶瓷DIP:400 mil(封装102)和600 mil(封装9)
- 32引脚陶瓷SOJ(封装140)
- 32垫陶瓷四LCC(封装12)
- 32垫陶瓷LCC(封装141)
- 32引脚陶瓷Flatpack(封装142)