### 物料型号
- 型号:EDI88130CS
- 技术:CMOS Standard Power (5V)
- 访问时间:15ns, 17ns, 20ns, 25ns, 35ns, 45ns, 55ns
- 封装类型:
- C:32 lead Sidebrazed DIP, 600 mil (Package 9)
- F:32 lead Ceramic Flatpack (Package 142)
- L:32 pad Ceramic LCC (Package 141)
- L32:32 pad Ceramic Quad LCC (Package 12)
- N:32 lead Ceramic SOJ (Package 140)
- T:32 lead Sidebrazed DIP, 400 mil (Package 102)
### 器件简介
EDI88130CS是一款高速、高性能的128Kx8位单体静态RAM。它具备多种访问时间,支持电池备份操作,并可在单+5V(±10%)供电下工作。该器件在商业、工业和军事温度范围内均有应用,并且有多种封装选项。
### 引脚分配
EDI88130CS有八个双向输入输出线,提供对一个字中所有位的同时访问。引脚包括地址输入A0-A16、数据输入输出I/O0-I/O7、控制信号CS1#、CS2#、OE#、WE#等。
### 参数特性
- 访问时间:15ns, 17ns, 20ns, 25ns, 35ns, 45ns, 55ns
- 工作电压:单+5V(±10%)
- 数据保持:2V数据保持(EDI88130LPS)
- 总线控制:CS1#, CS2# 和 OE# 用于总线控制
- 兼容性:输入输出直接与TTL兼容
### 功能详解
EDI88130CS提供了额外的芯片使能线,在非电池备份系统断电时提供系统内存安全保护,在高速电池备份系统中进行内存分页。
### 应用信息
适用于需要大容量内存和高速访问的应用场景,如工业控制、军事设备、通信设备等。
### 封装信息
提供了多种封装选项,包括直插和表面贴装封装,满足不同的应用需求。封装类型包括32引脚的陶瓷DIP、陶瓷SOJ、陶瓷Quad LCC、陶瓷LCC和陶瓷Flatpack。