1. 物料型号:
- 型号:EDI8F32512C
2. 器件简介:
- EDI8F32512C是一个高速16兆位静态RAM模块,组织为512K字×32位。该模块由四个512K×8静态RAM构成,这些RAM被封装在SOJ封装中,并安装在环氧树脂层压板(FR4)上。
3. 引脚分配:
- 地址输入(A0-A18):用于提供内存地址。
- 芯片使能(E0#-E3#):用于独立使能四个字节。
- 写使能(W#):控制写操作。
- 输出使能(G#):控制输出操作。
- 公共数据输入/输出(DQ0-DQ31):用于数据的输入和输出。
- 电源(Vcc):+5V±10%的电源输入。
- 地(Vss):接地。
- 无连接(NC):无功能连接。
4. 参数特性:
- 访问时间:15ns、20ns和25ns。
- TTL兼容I/O。
- 单个+5V(±10%)电源操作。
- 高密度封装:72引脚ZIP和72引脚SIMM。
5. 功能详解:
- 该模块完全静态,无需时钟信号,支持独立字节选择和使能,允许对单个字节或多字节的任意组合进行读写操作。
6. 应用信息:
- 该模块适用于需要高密度内存和快速访问的应用场合,如计算机内存扩展等。
7. 封装信息:
- 72引脚ZIP封装和72引脚SIMM封装,使得16兆位内存可以在不到1.3平方英寸的板空间内放置。