### 物料型号
- 型号:EDI8F8512C
### 器件简介
- EDI8F8512C是一款基于四个128Kx8或256Kx4(高速)静态RAM的4096K位CMOS静态RAM。它安装在多层环氧层压板(FR4)基板上,通过板上解码器解释高阶地址来选择128Kx8或256Kx4静态RAM之一,实现与单体四兆位静态RAM的功能等效。
### 引脚分配
- 引脚配置:
- A0-A18:地址输入
- E#:芯片使能
- W#:写使能
- G#:输出使能
- DQ0-DQ7:公共数据输入/输出
- VCC:电源(+5V±10%)
- VSS:地
- NC:无连接
### 参数特性
- 访问时间:20ns至100ns
- 数据保持功能(EDI8F8512LP)
- TTL兼容输入输出
- 全静态,无时钟需求
- 高密度封装
- 低功耗版本(EDI8F8512LP)带有数据保持功能
### 功能详解
- 全异步操作:EDI8F8512C不需要时钟或刷新即可操作。
- 数据保持:低功耗版本(EDI8F8512LP)具有数据保持功能。
### 应用信息
- 该芯片适用于需要高速静态存储解决方案的应用,如计算机内存、高速缓存等。
### 封装信息
- 封装类型:
- 36引脚单列直插式封装(Package No. 63)
- 32引脚双列直插式封装(Package No. 91和Package No. 183)