### 物料型号
- EDI8F8512C:512Kx8位CMOS静态RAM。
### 器件简介
- EDI8F8512C是一款基于四个128Kx8或256Kx4(高速)静态RAM的4096K位CMOS静态RAM。它安装在多层环氧层压板(FR4)基板上,通过板上解码器解释高阶地址(es)来选择128Kx8或256Kx4静态RAM之一,实现与单体四兆位静态RAM的功能等效。
### 引脚分配
- 引脚配置:共36个引脚,包括地址输入A0-A18、芯片使能E#、写入使能W#、输出使能G#、数据输入/输出DQ0-DQ7、电源Vcc、地Vss和无连接NC。
### 参数特性
- 访问时间:20至100纳秒。
- 数据保持功能(EDI8F8512LP)。
- TTL兼容输入输出。
- 全静态,无时钟。
- 高密度封装:32引脚DIP引脚排列遵循JEDEC标准,确保与未来单体设备的兼容性。
### 功能详解
- EDI8F8512C是全异步操作,无需时钟或刷新即可工作。所有输入和输出都与TTL兼容,并从单一5V电源操作。
### 应用信息
- EDI8F8512C适用于需要高密度存储和快速访问时间的应用场合,如计算机内存、高速缓存存储器等。
### 封装信息
- 封装类型:36引脚单列直插式封装(SIP),32引脚双列直插式封装(DIP)。
- 封装编号:63号、91号和183号封装。