### 物料型号
- WED3DG649V-D2
### 器件简介
WED3DG649V是一款8M x 64同步DRAM模块,由四个8M x 16 SDRAM组件和一个2K EEPROM构成,用于串行存在检测。组件被安装在168引脚DIMM多层FR4基板上。
### 引脚分配
| Pin | Front | Pin | Front | Pin | Front | Pin | Back | Pin | Back | Pin | Back |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| 1 | Vss | 29 | DQM1 | 57 | DQ18 | 85 | Vss | 113 | DQM5 | 141 | DQ50 |
| ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... |
### 参数特性
- PC100和PC133兼容
- 突发模式操作
- 自我刷新能力
- LVTTL兼容的输入和输出
- 带EEPROM的串行存在检测
- 全同步:所有信号都在系统时钟的正边上注册
- 可编程突发长度:1, 2, 4, 8或全页
- 3.3V ± 0.3V电源供应
- 168引脚DIMM JEDEC
### 功能详解
WED3DG649V模块由四个8M x 16 SDRAM组件和一个2K EEPROM构成,用于串行存在检测。该模块支持多种突发长度,并在正边上注册所有信号以实现全同步操作。
### 应用信息
该模块适用于需要高速、大容量内存的应用,如服务器和高性能计算机。
### 封装信息
- 168引脚DIMM多层FR4基板
- 8M x 16 SDRAM组件采用TSOP II封装
- 2K EEPROM采用8引脚TSSOP封装