物料型号:
- WED3DG644V-D1
器件简介:
- WED3DG644V是一款4Mx64同步DRAM模块,包含四个4Mx16 SDRAM组件,封装在TSOP II包中,以及一个2Kb EEPROM,封装在8引脚TSOP包中,用于串行存在检测,这些组件都安装在144引脚SO-DIMM多层FR4基板上。
引脚分配:
- 前面/背面引脚配置如下:
- VSS(地):2/51, 5/52, 21/22, 35/36, 75/76, 79/80
- DQ(数据输入/输出):3/51, 4/52, 9/95, 10/96, ..., 49/93, 50/94
- VCC(电源):13/14, 15/16, 63/64, 65/66, ..., 141/142, 143/144
- 其他控制信号如CLK0(时钟输入)、CKE0(时钟使能输入)、CS0#(芯片选择输入)、RAS#(行地址选通)、CAS#(列地址选通)、WE#(写使能)等。
参数特性:
- 兼容PC100和PC133
- 突发模式操作
- 自动和自刷新能力
- LVTTL兼容的输入和输出
- 串行存在检测与EEPROM
- 全同步:所有信号都在系统时钟的正边沿注册
- 可编程突发长度:1, 2, 4, 8或全页
- 3.3V ± 0.3V电源供应
- 144引脚SO-DIMM JEDEC标准
功能详解:
- 该模块是一个未缓冲的同步DRAM,支持突发模式操作,具备自动和自刷新能力,兼容LVTTL输入输出,支持串行存在检测,所有信号同步于系统时钟的正边沿,可编程的突发长度,工作电压为3.3V。
应用信息:
- 该产品可能会变更,具体请咨询工厂以获取RoHS合规产品、供应商源控制选项和工业温度选项的可用性。
封装信息:
- 144引脚SO-DIMM多层FR4基板,符合JEDEC标准。