### 物料型号
- 型号:WMS128K8-XXX
- 描述:128Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD
### 器件简介
- 特点:
- 访问时间:70, 85, 100, 120ns
- 革命性的中心电源/地引脚排列,JEDEC批准
- 32引脚陶瓷SOJ(封装101)
- 32引脚陶瓷DIP(封装300)
- 32引脚陶瓷SOJ(封装101)
- 32引脚陶瓷Flat Pack(封装206)
- 符合MIL-STD-883标准的器件可用
- 商用、工业和军用温度范围
- 5伏电源供应
- 低功耗CMOS
- 2V数据保持器件可用(低功耗版本)
- TTL兼容输入和输出
### 引脚分配
- 革命性引脚排列:
- A01至A16,CS5,1/016,1/027,Vcc口8,GND9,1/0310,1/0411,WE12,A4 13,A5 14,A6 0 15,A7 16,A8
- 进化性引脚排列:
- NC,A16 2,A15,A14,A12 4,WE 29,A7 5,A13,A6 6,A8,A5 7,A9,A4 8,A11,A3 9,OE 24,A2 10,A10,A1 11,CS,A0 12,V07,1/0013,VO6,1/O1 14,1O5 19,1/O215,GND16,1/O3
### 参数特性
- 绝对最大额定值:
- 工作温度:-55℃至+125℃
- 存储温度:-65℃至+150℃
- 信号电压相对于GND:-0.5V至Vcc+0.5V
- 结温:最高150℃
- 供电电压:-0.5V至7.0V
### 功能详解
- 真值表:
- CS, OE, WE的不同组合决定了模式,包括待机、读取、输出禁用和写入。
- 推荐操作条件:
- 供电电压:4.5V至5.5V
- 输入高电平电压:2.2V至Vcc+0.3V
- 输入低电平电压:-0.5V至+0.8V
### 应用信息
- 该SRAM适用于需要高速访问和低功耗的场合,如数据缓存、高速存储等。
### 封装信息
- 封装类型:
- 32引脚陶瓷SOJ(封装101)
- 32引脚陶瓷DIP(封装300)
- 32引脚陶瓷Flat Pack(封装206)