1. 物料型号:
- WMS128K8-XXX
2. 器件简介:
- 128Kx8 MONOLITHIC SRAM,提供SMD封装。
- 特点包括不同访问时间(70ns, 85ns, 100ns, 120ns)、革命性的中心电源/地引脚排列、JEDEC批准的封装、多种封装类型(32引脚陶瓷SOJ、32引脚陶瓷DIP、32引脚陶瓷SOJ等)。
- 符合MIL-STD-883标准的器件、商业、工业和军事温度范围、5伏电源、低功耗CMOS、2V数据保持设备(低功耗版本)、TTL兼容输入输出。
3. 引脚分配:
- 革命性引脚排列(Revolutionary Pinout)和进化性引脚排列(Evolutionary Pinout)两种类型。
- 引脚包括地址输入(A0-16)、数据输入/输出(I/O0-7)、芯片选择(CS)、输出使能(OE)、写使能(WE)、电源(VCC)和地(GND)。
4. 参数特性:
- 操作温度范围:-55℃至+125℃。
- 存储温度范围:-65℃至+150℃。
- 信号电压相对GND:-0.5V至Vcc+0.5V。
- 接点温度:最高150℃。
- 供电电压:-0.5V至7.0V。
5. 功能详解:
- 提供真值表,描述了CS、OE、WE不同状态时的工作模式。
- 推荐工作条件包括供电电压、输入高电平电压、输入低电平电压。
- 电容特性包括输入电容和输出电容。
- DC特性和数据保持特性。
6. 应用信息:
- 适用于需要高速、低功耗SRAM的应用场合,如工业控制、军事设备、通信系统等。
7. 封装信息:
- 提供了三种封装类型:32引脚陶瓷SOJ(Package 101)、32引脚陶瓷DIP(Package 300)、32引脚陶瓷Flat Pack(Package 206)。
- 每种封装的详细尺寸图和尺寸信息均在文档中提供。