1. 物料型号:
- WMS512K8BV-XXXE
2. 器件简介:
- 512Kx8 MONOLITHIC SRAM,具有15ns、17ns、20ns的访问时间,低电压操作,革命性的中心电源/地引脚排列,JEDEC认证,3.3V ±10%的电源供应,以及多种封装形式。
3. 引脚分配:
- 36引脚陶瓷SOJ(封装100)、36引脚陶瓷扁平封装(封装226)、32引脚陶瓷DIP(封装300)、32引脚陶瓷SOJ(封装101)、32引脚陶瓷扁平封装(封装220)。
4. 参数特性:
- 访问时间:15ns、17ns、20ns
- 工作电压:3.3V ±10%
- 引脚配置:革命性的中心电源/地引脚排列和进化的角电源/地引脚排列
- 温度范围:商业和工业温度范围
- TTL兼容输入和输出
- 完全静态操作:无需时钟或刷新
- 三态输出
5. 功能详解:
- 该SRAM支持低电压操作,革命性的中心电源/地引脚排列,JEDEC认证的36引脚陶瓷SOJ和36引脚陶瓷扁平封装,以及进化的角电源/地引脚排列。它还具有TTL兼容的输入和输出,完全静态操作,无需时钟或刷新,以及三态输出功能。
6. 应用信息:
- 该SRAM适用于需要低功耗、快速访问时间和多种封装选项的应用场合。
7. 封装信息:
- 提供了多种封装选项,包括36引脚陶瓷SOJ(封装100)、36引脚陶瓷扁平封装(封装226)、32引脚陶瓷DIP(封装300)、32引脚陶瓷SOJ(封装101)和32引脚陶瓷扁平封装(封装220)。