1. 物料型号:
- 型号为WMS512K8BV-XXXE,这是一个512Kx8位的单片SRAM。
2. 器件简介:
- 该SRAM具有15ns、17ns和20ns的访问时间,支持低电压操作,具有革命性的中心电源/地引脚排列,JEDEC认证,3.3V±10%的电源供应,以及商业和工业温度范围。
3. 引脚分配:
- 36引脚陶瓷SOJ(封装100)、36引脚陶瓷扁平封装(封装226)、32引脚陶瓷DIP(封装300)、32引脚陶瓷SOJ(封装101)和32引脚陶瓷扁平封装(封装220)。
- 引脚功能包括地址输入(A0-18)、数据输入/输出(I/O0-7)、芯片选择(CS#)、输出使能(OE#)、写使能(WE#)、电源供应(Vcc)和地(GND)。
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值包括操作温度(-40℃至+85℃)、存储温度(-65℃至+150℃)、信号电压范围(-0.5V至4.6V)、结温(最高150℃)和供电电压(-0.5V至4.6V)。
- 推荐操作条件包括供电电压(3.0V至3.6V)。
5. 功能详解:
- 该SRAM完全静态操作,无需时钟或刷新,具有三态输出,TTL兼容的输入和输出。
6. 应用信息:
- 由于文档中未提供具体的应用案例,可以推断该SRAM适用于需要快速数据访问和低功耗的场合,如缓存存储、数据采集系统等。
7. 封装信息:
- 提供了多种封装选项,包括36引脚和32引脚的SOJ、DIP和扁平封装,以适应不同的应用需求和空间限制。