物料型号:
- WS1M8-XXX
器件简介:
- WS1M8-XXX是一款2x512Kx8 Dualithic™ SRAM,具有多种访问时间(17, 20, 25, 35, 45, 55ns),革命性的中心电源/地引脚排列,并提供商业、工业和军事温度范围的产品。它使用5伏电源,低功耗CMOS设计,与TTL兼容的输入输出。
引脚分配:
- 36引脚SOJ和36引脚Flatpack:A0-18为地址输入,1/00-7为数据输入/输出,CS1-2#为芯片选择,OE#为输出使能,WE#为写入使能,Vcc为+5.0V电源,GND为地。
- 32引脚DIP:A0-18为地址输入,1/00-7为数据输入/输出,CS1-2#为芯片选择,WE#为写入使能,Vcc为+5.0V电源,GND为地。
参数特性:
- 工作温度范围:-55°C至+125°C
- 存储温度范围:-65°C至+150°C
- 信号电压相对GND:-0.5V至Vcc+0.5V
- 结温:最高150°C
- 供电电压:-0.5V至7.0V
功能详解和应用信息:
- WS1M8-XXX组织为两个512Kx8的存储区,可以通过CS1#和CS2#选择下部和上部512Kx8。CS1#和CS2#不能同时启用。
- 该器件适用于需要高速访问时间和低功耗的场合,如缓存存储、高速数据处理系统等。
封装信息:
- 32引脚,金属陶瓷DIP(Package 300)
- 36引脚陶瓷SOJ(Package 100)
- 36引脚陶瓷Flatpack(Package 226)