### 物料型号
- 型号:WS1M8-XXX
### 器件简介
- WS1M8-XXX是一款2x512Kx8 Dualithic™ SRAM,具有多种访问时间(17, 20, 25, 35, 45, 55ns),革命性的中心电源/地引脚排列,并且有多种封装形式。
### 引脚分配
- 36 CSOJ和36 FLATPACK:包含地址输入A0-18,数据输入/输出1/00-7,芯片选择CS1-2#,输出使能OE#,写使能WE#,+5.0V电源Vcc和地GND。
- 32 DIP:包含地址输入A0-18,数据输入/输出1/00-7,芯片选择CS1-2#,写使能WE#,+5.0V电源Vcc和地GND。
### 参数特性
- 工作温度范围:-55°C至+125°C
- 存储温度范围:-65°C至+150°C
- 信号电压相对GND:-0.5至Vcc+0.5V
- 结温:最高150°C
- 供电电压:-0.5至7.0V
### 功能详解
- 设备被组织为两个512Kx8的存储库。
- 支持5伏电源供应。
- 低功耗CMOS。
- TTL兼容的输入和输出。
- CS1#和CS2#用于选择设备的低512Kx8和高512Kx8,不能同时启用。
### 应用信息
- 适用于商业、工业和军事温度范围的应用。
- 适用于需要低功耗和TTL兼容性的场景。
### 封装信息
- 32 pin, Her met ic Ceramic DIP (Package 300)
- 36 lead Ceramic SOJ (Package 100)
- 36 lead Ceramic Flatpack (Package 226)