### 物料型号
- 型号:WS1M8-XXX
### 器件简介
- WS1M8-XXX是一款2x512Kx8 Dualithic™ SRAM,具有多种访问时间(17, 20, 25, 35, 45, 55ns)和封装类型。
### 引脚分配
- 36 CSOJ和36 FLATPACK:
- A0-A18:地址输入
- D0-D7:数据输入/输出
- CS1#, CS2#:芯片选择
- OE#:输出使能
- WE#:写使能
- Vcc:+5.0V电源
- GND:地
- 32 DIP:
- 与上述相同,但为32引脚封装。
### 参数特性
- 绝对最大额定值:
- 工作温度:-55°C至+125°C
- 存储温度:-65°C至+150°C
- 信号电压相对GND:-0.5V至Vcc+0.5V
- 结温:最高150°C
- 供电电压:-0.5V至7.0V
- 推荐操作条件:
- 供电电压:4.5V至5.5V
- 输入高电平电压:2.2V至Vcc+0.3V
- 输入低电平电压:-0.3V至+0.8V
- 工作温度:-55°C至+125°C
### 功能详解
- 设备分为两个512Kx8的存储区,CS1#和CS2#用于选择上下512Kx8存储区,不能同时启用。
### 应用信息
- 适用于商业、工业和军事温度范围的应用。
- 5V电源供电,低功耗CMOS,TTL兼容的输入输出。
### 封装信息
- 32引脚Hermetic Ceramic DIP (Package 300)
- 36引脚Ceramic SOJ (Package 100)
- 36引脚Ceramic Flatpack (Package 226)