1. 物料型号:
- 型号为WS1M8-XXX,这是一款2x512Kx8 Dualithic™ SRAM。
2. 器件简介:
- WS1M8-XXX组织为两个512Kx8的存储区,支持商业、工业和军事温度范围,工作在5伏电源,采用低功耗CMOS技术,与TTL兼容的输入输出。
3. 引脚分配:
- 36引脚SOJ和Flatpack封装:包括地址输入A0-18,数据输入输出1/00-7,芯片选择CS1-2#,输出使能OE#,写使能WE#,+5.0V电源Vcc和地GND。
- 32引脚DIP封装:与36引脚封装类似,但不包括CS2#。
4. 参数特性:
- 访问时间:17, 20, 25, 35, 45, 55ns。
- 革命性的中心电源/地引脚排列。
- 封装类型:32引脚DIP,36引脚SOJ和Flatpack。
5. 功能详解:
- CS1#和CS2#用于选择设备的低512Kx8和高512Kx8部分,不能同时启用。
- 该SRAM器件支持读取、写入和待机模式。
6. 应用信息:
- 适用于需要高速访问时间和低功耗的存储应用,具体应用场景未在文档中详述。
7. 封装信息:
- 提供了三种封装方式:32引脚DIP,36引脚SOJ和36引脚Flatpack,所有线性尺寸以毫米和英寸表示。